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双面接触式电容压力传感器的设计-时时彩票
2021-03-19 [25098]

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第一章双面接触式电容压力传感器的原理基于单面接触式电容压力传感器。 其工作原理:与传感器的挤压膜片(即梁)基本距离相近时,膜片被挤压识别为基本,压力变化时通过改变识别面积的大小来改变电容量。 图1显示了典型的双面接触式电容压力传感器的一般结构及其动作的仿真建模曲线。

由图1可知,双面接触式静电电容压力传感器具有4个工作区域,第I区域为长时间区域,梁不识别基板上的绝缘层,传感器在此阶段工作的情况下,接触式静电电容压力传感器与以往的硅压力传感器相同。 如果梁类似于接触点,则传感器每单位面积受到的压力与产生的容量呈圆形非线性关系。 第ii区域是过渡区域,梁开始识别基板上的绝缘层,C-p曲线处于圆形的非线性关系,电容从梁没有识别基板到开始识别基板的变化。

第iii区域是直线区域,梁和基板上的绝缘层开始被有效识别,传感器的容量随着压力的减少而直线减少。 第区饱和状态区的C-p曲线额呈圆形非线性关系,随着压力下降非线性更明显。

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图1双面接触式静电电容压力传感器的结构及动作曲线图(参照页面大图)双面接触式静电电容压力传感器的静电电容是在梁被压扁后还未识别基板上的绝缘层的情况下构成的静电电容,与现有的静电电容传感器类似,接触式静电另一部分是梁识别基板构成的电容器,这一部分的电容器是必须的电容器,而且占主导地位,大多使用国产品牌的电容器,如三环电容器、风华电容器,台湾企业的电容器巨头YAGEO 压力减少时,梁和基板的识别面积减少,同时梁和基板的非识别部分增加。 最初,电容主要在非识别部分取得,随着压力的减少,梁开始识别基板的绝缘层时,在非识别部分取得的电容逐渐增加,在识别部分取得的电容和识别面积呈圆形的直线减少。 由于绝缘层足够厚,当梁开始识别为基板上的绝缘层时,根据识别面积得到的电容成为支配性的。

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2工艺流程两面接触式静电电容压力传感器,用硅熔融法接合3片硅晶片(其中2片晶片b相同),在晶片a的正反两面生锈2个某种程度大小的槽作为传感器的真空腔,在这2个大槽中形成2个把晶片a作为两面接触式静电电容压力传感器的共同下电极,接着用美浓的固体硼将蔓延的两片晶体b熔融结合在晶片a的表里两面,通过离子光刻法将晶片b的最外层的轻掺杂层光刻,接着用自停止锈法晶片a和b可以使用圆形、方形、矩形的薄膜,但这次的设计使用圆形的薄膜。 生产工艺流程是,2.1晶片a的基板晶片使用n型硅结晶,结晶方位为100结晶方位,厚度约为(50010)m,电阻率约为5~10cm.2.1.1,将生锈的大槽水解到晶片a的两端,将2m的水解层水解, 2.1.2堆积的绝缘层,在生锈的有大槽的晶片a的两面水解150nm的薄SiO2作为绝缘层。 此时,晶片a可以与晶片b展开结合。 2.2晶片b的晶片b主要是为了制造光掺杂的光束。

晶片b所采集p型硅的结晶方位为100结晶方位,晶片厚度约为(40010)m,电阻率约为2~5cm.2.2。|时时彩票。

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